| 专利名称： | 介电陶瓷、制备介电陶瓷的方法和单片陶瓷电容器 |
| 公开（告）号： | CN101006028B |
| 公开（公告）日： | 2010-05-19 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200680000624.7 |
| 申请日： | 2006-04-13 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 株式会社村田制作所 |
| (申请)专利权（人）： | 笹林武久;石原雅之;中村友幸;佐野晴信 |
| 内容： | 本发明提供具有不低于5,500的高介电常数并且具有良好的介电常数温度特性的介电陶瓷，并且提供静电电容温度特性满足X5R特性的小的高电容单片陶瓷电容器。所述介电陶瓷具有包含BaTiO3系或(Ba，Ca)TiO3 系主要组分和包含稀土元素和Cu的附加组分的组成，并且具有由晶粒(21) 和占据在晶粒(21)之间的晶粒间界(22)构成的结构。晶粒间界(22)中的稀土元素平均浓度与晶粒(21)内部稀土元素的平均浓度的摩尔比小于2，并且在介电陶瓷的横截面中，在第一晶粒(21A)的不低于90％的区域中存在稀土元素，其数量为晶粒(21)的55％至85％，并且在第二晶粒(21B)的小于 10％的区域中存在稀土元素，其数量为晶粒(21)的15％至45％。 |
发布日期：2010-05-19 22:16:00