| 专利名称： | 一种粘土粘接制备SiC多孔陶瓷的方法 |
| 公开（告）号： | CN101712561A |
| 公开（公告）日： | 2010-05-26 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200910193875.7 |
| 申请日： | 2009-11-06 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 吴荣标 |
| (申请)专利权（人）： | 吴荣标;陈钢军;余晋彬 |
| 内容： | 一种粘土粘接制备SiC多孔陶瓷的方法，其特征在于包括原料选择配比、混料造粒、等静压成型及烧成工艺，其中，按SiC占70-80wt％，伊利石粘土占7-20wt％，石墨占0-15wt％进行配料，SiC颗粒的粒径在200-450μm之间，石墨的粒径在50-250μm之间；所获得的造粒颗粒料在模具上成形为坯体，然后在100-400MPa的等静压压机中对坯体进行压制成型，最后进行烧结。本发明与已有技术相比，具有所制造出来的多孔陶瓷的孔隙率高、孔径大小、分布均匀、强度大，不变形、性能劣化程度低、使用寿命长、制造成本低的优点。 |
发布日期：2010-05-26 21:28:00