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| 专利名称： | 纳米掺杂制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料 |
| 公开（告）号： | CN101182201B |
| 公开（公告）日： | 2010-06-02 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200710178132.3 |
| 申请日： | 2007-11-27 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 清华大学 |
| (申请)专利权（人）： | 王晓慧;田之滨;王天;李龙土 |
| 内容： | 本发明公开了属于电容器材料制备技术范围的一种纳米掺杂制备贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料。由在配方中所占摩尔分数为90～98mol％主料钛酸钡BaTiO3和占材料总量的2～10mol％的纳米掺杂剂组成陶瓷材料。在还原气氛中，于950℃～1250℃的温度范围内进行“两段式”烧结或常规烧结，可获得性能优异的X7R/X5R型MLCC材料，材料的室温介电常数(圆片样品)可以控制在2000～2600，容温变化率≤±15％，室温介电损耗≤1.5％，陶瓷的晶粒大小可以控制在100～200nm，均匀性好，适用于生产大容量、介电层厚度小于3μm的超薄介电层的多层陶瓷电容器，并且绝缘电阻率高，性能稳定。
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发布日期：2010-06-03 21:38:00