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| 专利名称： | 可控气孔率的氮化硅多孔陶瓷及制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101734925A |
| 公开（公告）日： | 2010-06-16 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200910219332.8 |
| 申请日： | 2009-12-04 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 西安交通大学 |
| (申请)专利权（人）： | 杨建锋;鲁元;陆伟忠;刘荣臻;乔冠军;金志浩;李春芳 |
| 内容： | 本发明公开了一种可控气孔率的氮化硅多孔陶瓷及制备方法，按重量百分比，包括下述组分：硅粉10～80％、氧化硅10.7～60.7％、烧结助剂5～10％、碳黑4.3～24.3％。烧结助剂选自IIa族氧化物、IIIa族氧化物或稀土元素氧化物的至少一种；将上述粉末湿法混合球磨，得到混合粉末，然后模压成形，成形坯体放入气氛炉中，在氮气压力为＞1个大气压下加热到1700-1850℃保温1-10小时，即获得烧结体。本发明的氮化硅多孔陶瓷可广泛应用于高温气氛及腐蚀性气氛下的气体分离用过滤器的基体材料，发电用燃气轮机，发动机，航天飞机等使用的耐热材料的强化材料等。
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发布日期：2010-06-16 21:41:00