| 专利名称： | IGBT模块用低热阻陶瓷覆铜板的制作工艺 |
| 公开（告）号： | CN101814439A |
| 公开（公告）日： | 2010-08-25 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN201010139707.2 |
| 申请日： | 2010-04-06 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 淄博市临淄银河高技术开发有限公司 |
| (申请)专利权（人）： | 李磊;孙桂铖 |
| 内容： | 本发明具体涉及一种IGBT模块用低热阻陶瓷覆铜板的制作工艺。其特征在于包括如下步骤：1)陶瓷基片清洗活化，并在陶瓷基片的表面采用PVD工艺沉积一层1～2μm的铜膜；2)铜箔清洗活化，并在铜箔表面采用CVD工艺交替沉积0.1μm厚的氧化亚铜和0.1μm厚的铜，沉积的氧化亚铜和铜的厚度为0.5～10μm；3)将铜箔预压成型，使铜箔沿宽度方向成弧形后与陶瓷基片一起放置在键合炉内进行高温键合，键合温度为1060～1076℃4)键合后的覆铜板冷却。使用本发明制作的覆铜板相对现有技术的电路板具有超薄、强度高、空洞率低、导热效率高、热阻低的优点。 |
发布日期：2010-08-30 20:26:00