| 专利名称： | 形成陶瓷氧化硅类涂层的方法,生产无机基材的方法,形成陶瓷氧化硅类涂层的试剂,和半导体器件 |
| 公开（告）号： | CN101815766A |
| 公开（公告）日： | 2010-08-25 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200880110251.8 |
| 申请日： | 2008-10-03 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 道康宁东丽株式会社;陶氏康宁公司 |
| (申请)专利权（人）： | 张原志成;道野哲行;E·D·卡特索里斯;栉引信男;须藤通孝 |
| 内容： | 通过在无机基材表面上涂布有机基氢硅氧烷/氢硅氧烷共聚物，并通过在惰性气体或含氧气的惰性气体(氧气小于20体积％)内加热到高温，将该涂层转化成陶瓷氧化硅类涂层，形成陶瓷氧化硅类涂层的方法和生产具有这一涂层的无机基材的方法。含有机基氢硅氧烷/氢硅氧烷共聚物或其溶液的涂层形成试剂。一种半导体器件，它包括在无机基底上的氧化硅类涂层上形成的至少一层半导体层。
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发布日期：2010-08-30 20:28:00