| 专利名称： | 制备用于变阻器的包含金属氧化物的半导体陶瓷的方法 |
| 公开（告）号： | CN1870185B |
| 公开（公告）日： | 2010-12-08 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200610006918.2 |
| 申请日： | 2006-01-24 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 阿海珐T&D有限公司 |
| (申请)专利权（人）： | 迈赫达德·哈桑扎德;塞利娜·马查多-巴伊;雷诺·梅斯;拉蒙·普亚内 |
| 内容： | 摘要 本发明披露了一种制备基于掺杂的氧化锡的半导体陶瓷的方法，该方法是通过将PADO(前体合金直接氧化)型方法用于锡和掺杂金属的合金上，或者通过将PADO型方法用在锡上，而掺杂金属以氧化物形式加到要烧结的粉末中。 主权项 |
发布日期：2010-12-16 14:52:00