| 专利名称： | 一种高体电阻率铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN1986485 |
| 公开（公告）日： | 2007-06-27 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | 200610147890.4 |
| 申请日： | 2006-12-25 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| (申请)专利权（人）： | 李玉臣;周志勇;包绍明;姚 烈;董显林 |
| 内容： | 摘要 一种高体电阻率铋层状结构压电陶瓷材料及其制备方法，属于陶瓷组成与制备领域。铋层状型压电陶瓷材料的化学通式为： (Bi2O2)2+(Am-1BmO3m+1)2-；其中，SrBi4Ti4O15相对应的化学式为： (Bi2O2)2+(SrBi2Ti4O13)2-，A位是Sr2+、Bi3+离子，B位是Ti4+离子，m＝4。本发明采用行星球磨、敞开粉末合成、敞开烧结的压电陶瓷工艺进行制备，材料的主要性能为：ε33T/ε0＝160±20，tanδ＝0.28％，Tc＝530℃， d33＝21pC/N，ρv(400℃)＝1.2×1010Ω·cm，可以制成各种形状的压电陶瓷元件，且能在室温至400℃范围内反复使用。利用这种材料制得的陶瓷元件，组装成各种压电传感器，可以在高温条件下的测量、探测与自动控制方面获得广泛应用。 |
发布日期：2007-07-11 15:56:00