| 专利名称： | 一种高性能B超换能器用压电陶瓷材料及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN1986486 |
| 公开（公告）日： | 2007-06-27 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | 200610147891.9 |
| 申请日： | 2006-12-25 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| (申请)专利权（人）： | 李玉臣;包绍明;姚 烈;董显林 |
| 内容： | 摘要 一种高性能B超换能器用压电陶瓷材料及其制备方法，属压电陶瓷领域。其特征在于：材料的基本化学组成为：Pb1-m-nSrmBan(Nb2/3Mg1/3)x(Nb2/3Zn1/3)0.25-xZryTizO3+amolSiO2+bmolSb2O3，其中，m+n＝0～0.20； x＝0.0～0.25；y＝0.20～0.40；z＝0.20～0.4；x+y+z＝1；a＝0.0～0.5；b＝0.0～ 0.5。本发明采用铌锌、铌镁和锆钛酸铅组成四元系压电陶瓷，在A位用Sr 和Ba复合置换部分铅，并通过添加合适的添加物，采用传统固相反应法，获得了一种压电常数d33＝780pC/N，ε33T/εo＝3800，tanδ＝1.36，Kp＝0.75，Qm＝55 的高性能压电陶瓷材料。利用这种材料制得的陶瓷元件，组装成压电换能器，可以在医疗超声成像检测等方面获得广泛应用。 |
发布日期：2007-07-11 15:58:00