专利名称: 单片陶瓷电子元件及其制造方法
公开(告)号: CN1842881
公开(公告)日:
申请(专利)号: 200580000834.1
申请日:
发明(设计)人: 株式会社村田制作所
(申请)专利权(人): 堀江重之;同前友宏;野路孝志;古泽达雄;
内容: 摘要     提供一种单片陶瓷电子元件以及制造方法。该单片陶瓷电子元件具有烧结电极层、中间电镀层和镀层依次层叠的外电极,在高温载荷测试中不会轻易产生绝缘电阻失效并且具有高度的可靠性。在具有内电极(2)和(3)的陶瓷烧结体(4) 的两个边缘表面(4a)和(4b)上,形成有外电极(5)和(6)。外电极(5)和(6) 的每一个都具有烧结电极层(5a)和(6a)、中间电解镀层(5b)和(6b)以及电解镀层(5c)和(6c)依次层叠的结构。在烧结电极层(5a)和(6a)的外表面上,显露出基于在烧结电极层中包含的玻璃磨料的绝缘氧化物(7)的显露表面部分 (7a)。在金属(8)淀积在显露表面部分(7a)上的条件下,采用电解镀敷来形成中间电解层(5b)和(6b)。    主权项         1.一种单片陶瓷电子元件,包括第一外电极、第二外电极、以及包括一内电极的单片陶瓷组件,所述第一和第二外电极置于所述单片陶瓷组件的两个端面上, 其中,每个所述外电极包括:置于所述单片陶瓷组件上并包含氧化物的相应烧结电极层,每一个都置于相应烧结电极层上的中间电镀层,以及每一个都置于相应中间电镀层上的镀层;所述氧化物出现在所述烧结电极层的表面部分;所述氧化物具有从所述烧结电极层中显露的外露表面区域;并且所述外露表面区域具有置于其上的金属,它作为形成覆盖所述外露表面区域的中间电镀层的晶核。 

发布日期:2006-10-25 18:35:00

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