| 专利名称： | 硅电容压力敏感器件封装结构 |
| 公开（告）号： | CN2849683 |
| 公开（公告）日： | |
| 申请（专利）号： | 200520093653.5 |
| 申请日： | 2005-11-18 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 沈阳仪表科学研究院 |
| (申请)专利权（人）： | 孙海玮;张治国;刘 沁;陈信琦 |
| 内容： | 摘要 硅电容压力敏感器件封装结构，包括基座、引压管，其特征在于基座内中段相对设置两个挡块，硅电容芯片置于一挡块与填充陶瓷块之间，引线座位于基座一端、引压导管位于基座另一端，各件均焊接在基座上成一体。本结构设计的积极效果是：硅电容压力敏感器件封装结构由引压导管支撑传感器本体，在受压腔体内呈悬浮状态，从而使传感器的耐受性、可靠性增强，稳定性更好。 主权项 |
发布日期：2006-12-24 22:11:00