| 专利名称： | 纳米Ge粒子弥散陶瓷基体光致发光材料及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101033129 |
| 公开（公告）日： | 2007-09-12 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | 200710051958.3 |
| 申请日： | 2007-04-24 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 武汉理工大学 |
| (申请)专利权（人）： | 王 皓;高 乐;王为民;傅正义 |
| 内容： | 本发明属于无机纳米光致发光材料领域。一种纳米Ge粒子弥散陶瓷基体光致发光材料，其特征在于它由铝源、硅源和锗源原料制备而成，铝源中Al、硅源中Si、锗源中Ge符合化学式Al12(Si4-xGex)O26，其中0＜x≤1；所述的铝源为硝酸铝、异丙醇铝或氯化铝；硅源为正硅酸乙酯；锗源为3-三氯锗丙酸或正锗酸乙酯。该方法得到的材料的化学稳定性好，该方法具有工艺简单、成本低的特点。 |
发布日期：2007-09-12 09:31:00