| 专利名称： | 氮化硅陶瓷粉末的生产方法 |
| 公开（告）号： | CN1865129 |
| 公开（公告）日： | 2006-11-22 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | 200610043941.9 |
| 申请日： | |
| 发明（设计）人： | 贾世恒 |
| (申请)专利权（人）： | 贾世恒 |
| 内容： | 摘要 本发明氮化硅陶瓷粉末的生产方法，将硅粉用真空氮化电炉烧制进行氮化合成而制得，其烧成控制为：送电、炉内抽真空，升温到500±30℃时，向炉内充氮气，继续升温至980± 20℃，并保持继续向炉内充氮气，提高升温速度，并排气、抽真空间断进行；再继续升温至 1300±20℃，连续向炉内充氮气，反应加快时停止供电一直到结束；反应完毕后降温，然后排气卸压，打开炉门冷却降温，室温后出窑，得产品。本发明解决了烧制过程中的突发放热等问题，能够满足大容量烧制的要求，在9立方米的真空氮化电炉上烧制获得成功，已连续生产两年多，为国内工业化生产用常规氮化电炉台炉产量的90～100倍，实现了大规模产业化生产，而且产品质量好，生产成本低。 主权项 权利要求书 1、一种氮化硅陶瓷粉末的生产方法，将硅粉用真空氮化电炉烧制进行氮化合成而制得，其特征在于烧成控制为： (1)送电，炉内抽真空控制真空度为：-0.03～-0.05MPa； (2)室温到500±30℃的升温速度为50～70℃/h； (3)在500±30℃时，向炉内充氮气，控制炉内压力为+0.03～+0.05MPa； (4)在500±30℃～980±20℃其间，继续向炉内充氮气，保持炉内压力为+0.03～ +0.05MPa，升温速度控制为90～110℃/h，并排气、抽真空间断进行； (5)在980±20℃～1300±20℃其间，升温速度为90～110℃/h，并连续向炉内充氮气，炉内压力控制为：+0.03～+0.05MPa，反应加快时停止供电一直到结束； (6)反应完毕后降温，降温至500±20℃以前，保持炉内压力为+0.02～+0.05MPa；然后排气卸压，打开炉门冷却降温。 |
发布日期：2006-11-28 20:02:00