| 专利名称： | 纳米级陶瓷材料掺杂剂、陶瓷电容器介质材料及二者的制备方法 |
| 公开（告）号： | CN1854105 |
| 公开（公告）日： | |
| 申请（专利）号： | 200510048278.7 |
| 申请日： | |
| 发明（设计）人： | 电子科技大学 |
| (申请)专利权（人）： | 周晓华;张树人;李 波;朱文奕;钟朝位; |
| 内容： | 摘要 纳米级陶瓷材料掺杂剂、陶瓷电容器介质材料及二者的制备方法，属于电子材料技术领域。本发明的纳米级陶瓷材料掺杂剂，其配方表示为：aA·bB·cC·dR2O3·eSiO2；其中，A包括Na2O；B包括MgO、CaO之一种或多种；C 包括MnO2、Co3O4之一种或多种；R包括Y、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、 Tm、Yb、Lu之一种或多种；其中，a、b、c、d、e是系数，以mol％计算，0≤ a≤10％，0≤b≤25％，0≤c≤15％，20％≤d≤60％，10％≤e≤50％，b与c不同时为0。本发明的方法得到的介质材料初始颗粒超细，符合MLCC大容量、小型化的趋势，材料配方可调，烧结温度低；介电常数高，介质损耗小，制成的材料均匀性好，性能重复性好，有利于提高电容器的可靠性。 主权项 |
发布日期：2006-11-01 18:26:00