| 专利名称： | 用于利用超导磁体设置传感器反铁磁的方法和设备 |
| 公开（告）号： | CN1877701 |
| 公开（公告）日： | |
| 申请（专利）号： | 200610073269.8 |
| 申请日： | 2006-04-06 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| (申请)专利权（人）： | 李文扬;李晋山 |
| 内容： | 摘要 本发明涉及利用水平设置的超导磁设备构造磁致电阻传感器的方法。该超导磁设备能产生持续时段的很高磁场从而有效地设置具有很高钉扎场的磁致电阻传感器的磁化。该超导磁设备具有被超导线圈围绕的陶瓷管。该管具有水平取向的纵轴，从而提供很多重要的优点，诸如：便于该设备内含有传感器的晶片的操纵；便于将晶片装载到该设备中；防止退火期间该晶片内的温度和磁场的梯度；以及通过限制该设备的高度便于该设备的维护和存放。 主权项 |
发布日期：2006-12-15 21:12:00