| 专利名称： | 积层陶瓷电容器及其制造方法 |
| 公开（告）号： | CN1877763 |
| 公开（公告）日： | |
| 申请（专利）号： | 200610079181.7 |
| 申请日： | 2006-05-12 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 太阳诱电株式会社 |
| (申请)专利权（人）： | 织茂宽和;千辉纪之;川村知荣 |
| 内容： | 摘要 本发明提供一种可抑制绝缘劣化以提高寿命的积层陶瓷电容器。本发明的积层陶瓷电容器在介电层11a与内部电极层11b之间，存在将扩散相颗粒(第1颗粒G1及第2 颗粒G2)以层状排列的扩散相颗粒层11c，因此即使构成介电层11a的颗粒G3中产生的氧缺陷朝向与内部电极层11b的介面转移，并蓄积在该介面附近所存在的颗粒G3中，由于扩散相颗粒层11c的存在，也可以防止电流集中流动于因氧缺陷引起电阻下降的部位，从而能够抑制会产生于积层陶瓷电容器的绝缘劣化。 主权项 |
发布日期：2006-12-15 21:14:00