专利名称: 一种纳米碳化硅增强氮化硅多孔陶瓷的制备方法
公开(告)号: CN1288112
公开(公告)日:
申请(专利)号: CN200410073163.9
申请日: 2004-10-11 00:00:00
发明(设计)人: 西安交通大学
(申请)专利权(人): 王红洁;张 雯;高积强;乔冠军;杨建锋;金志浩
内容: 摘要     本发明属于多孔陶瓷技术领域,涉及一种纳米碳化硅增强氮化硅多孔陶瓷的制备方法。该方法包括配料、成型、烧结常规陶瓷材料制备工艺,其特征在于:以酚醛树脂作为一种新的造孔剂和碳源,利用烧结过程中的碳热还原反应,原位生成纳米SiC相;Si3N4∶Al2O3∶Y2O3:酚醛树脂的质量比为70~95%∶1~5%∶2~ 8%∶5~28%;加入无水乙醇30~60%,混料12~24小时制成料浆,烘干制成干粉;将干燥后的陶瓷粉体依次经过成型、裂解排胶、碳热还原、烧结,制得40~70%的高气孔率、70~160Mpa的高强度的纳米碳化硅增强氮化硅多孔陶瓷,本发明工艺简单,成本低廉。   主权项      权利要求书 1、一种纳米碳化硅增强氮化硅多孔陶瓷的制备方法,包括:配料、混料、成型、烧结陶瓷材料制备工艺,其特征在于:具体步骤如下: 步骤1:以酚醛树脂作为造孔剂和碳源;将Si3N4∶Al2O3∶Y2O3∶酚醛树脂按质量百分比为70~95%∶1~5%∶2~8%∶3~28%的比例配料; 步骤2:按料粉总质量百分比的30~60%加入无水乙醇,作为酚醛树脂分散剂和混料介质;用玛瑙球作为研磨球,料粉与玛瑙球的质量比为1∶2,混料研磨12~ 24小时; 步骤3:烘干料浆,将干燥后的陶瓷粉体在压机上以10~100Mpa的压力干压成型; 步骤4:在真空、氩气或氮气保护气氛下烧结;烧结过程分阶段进行:800℃ 以下升温速率1℃/分钟,气氛为真空;1400℃以下升温速率3℃/分钟,保温0.5~ 2小时,气氛为氩气;最后以5~10℃/分钟升至烧结温度1700~1800℃,,气氛为氮气,保温0.5~3小时。

发布日期:2006-12-13 22:06:00

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