| 专利名称： | 铌钽酸钾钠基压电陶瓷及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN1884198 |
| 公开（公告）日： | |
| 申请（专利）号： | 200610043041.4 |
| 申请日： | 2006-06-27 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 西北工业大学 |
| (申请)专利权（人）： | 樊慧庆;焦岗成;刘来君;王 炜 |
| 内容： | 摘要 本发明公开了一种铌钽酸钾钠基压电陶瓷，其原材料为碳酸钾、碳酸钠、氧化铌、氧化钽的基料以及占基料量0.2～0.8mol％的Cu2+、Sb5+、Sn4+、Li+离子任一种或者任几种，基料化学计量比为(K1-xNax)(Nb1-yTay)O3，其中(x＝0.1～0.9，y＝0.01～0.30)。本发明还公开了上述铌钽酸钾钠基压电陶瓷的制备方法，将上述原料装入球磨罐中球磨混合后合成，合成温度为800～900℃，保温时间为4～10h；将所得熟料二次球磨后，冷等静压50～100MPa压力下压成圆片素坯；1000℃～1200℃的温度下保温2～4h叠片烧结成陶瓷；烧渗银电极、极化。本发明通过在陶瓷烧结过程中掺杂Cu2+，Sb5+，Sn4+或Li+离子任一种或者任几种，提高了铌酸钾钠基压电陶瓷的整体电学性能，机械品质因数由现有技术的约为100提高到979，机电耦合系数从0.36提高到0.41。 主权项 |
发布日期：2006-12-27 21:44:00