| 专利名称： | 一种碳化硅纳米纤维的制备方法 |
| 公开（告）号： | CN1292986 |
| 公开（公告）日： | |
| 申请（专利）号： | CN200510010086.7 |
| 申请日： | 2005-06-16 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 哈尔滨工业大学 |
| (申请)专利权（人）： | 温广武;李 峰;韩兆祥 |
| 内容： | 摘要 一种碳化硅纳米纤维的制备方法，它涉及一种陶瓷纤维的制备工艺。为了解决现有方法反应时间长、获得的SiC纳米纤维纯度低的缺点，本发明按照如下步骤制备SiC纳米纤维：将SiBONC粉末置于气氛保护烧结炉中，在氮气或惰性气体保护下对材料进行热处理，得到SiC纳米纤维，其中热处理温度为1200℃～1900℃，保温时间为0.5～4个小时。本发明制备出的SiC纳米纤维的主要晶相为结晶程度较高的β-SiC，由于在生长过程中没有使用催化剂，纤维的杂质含量极低，纤维的直径在20～200nm之间，长度在几个毫米之间，表面光滑，长径比大于100。 主权项 权利要求书 1、一种碳化硅纳米纤维的制备方法，其特征在于它按照如下步骤进行制备：将SiBONC粉末置于气氛保护烧结炉中，在氮气或惰性气体保护下对材料进行热处理，得到SiC纳米纤维，其中热处理温度为1200℃～1900℃，保温时间为0.5～4个小时。 |
发布日期：2007-01-09 20:15:00