| 专利名称： | 一种高温稳定的SiBONC陶瓷的制备方法 |
| 公开（告）号： | CN1293014 |
| 公开（公告）日： | |
| 申请（专利）号： | CN200510010085.2 |
| 申请日： | 2005-06-16 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 哈尔滨工业大学 |
| (申请)专利权（人）： | 温广武;李 峰;白宏伟;韩兆祥 |
| 内容： | 摘要 一种高温稳定的SiBONC陶瓷的制备方法，它涉及一种陶瓷材料的制备工艺。为了解决现有硅基陶瓷只能在1200～1300℃以下长期稳定使用、可靠性差、相对成本高的不足，本发明按照如下步骤制备：合成SiONC先驱体；合成SiBONC先驱体；对SiBONC先驱体进行裂解，制得SiBONC陶瓷粉末；其核心在于SiONC先驱体是这样合成的：以有机硅油和烷基胺为原料，用有机溶剂溶解，混合搅拌，并在70～100℃保温20～30小时，合成SiONC先驱体。本发明热压得到的制品抗弯强度在60～300MPa，断裂韧性为1.4～ 3.0MPa/m1/2，保持非晶态的温度为1000～2000℃，在1000℃时高温力学性能损失率为10～50％，抗蠕变能力提高到1500～1800℃。 主权项 权利要求书 1、一种高温稳定的SiBONC陶瓷的制备方法，它包括如下步骤：(一) 合成SiONC先驱体；(二)合成SiBONC先驱体；(三)对SiBONC先驱体进行裂解，制得SiBONC陶瓷粉末；(四)将所制备的SiBONC粉末进行烧结，得到致密的SiBONC非晶与微晶陶瓷制品；其特征在于步骤(一)中SiONC 先驱体是这样合成的：以有机硅油和烷基胺为原料，所述有机硅油为含氢甲基硅油，烷基胺为二乙烯三胺或乙二胺，用有机溶剂溶解，混合搅拌，并在 70～100℃保温20～30小时，合成SiONC先驱体。 |
发布日期：2007-01-09 20:24:00