| 专利名称： | 用强流脉冲离子束对电子束物理气相沉积涂层的封顶技术 |
| 公开（告）号： | CN1948549 |
| 公开（公告）日： | 2007-04-18 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200610134323.5 |
| 申请日： | 2006-11-17 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 大连理工大学 |
| (申请)专利权（人）： | 雷明凯;刘 臣;信敬平;韩晓光;朱小鹏 |
| 内容： | 摘要 材料表面改性领域中，用强流脉冲离子束对电子束物理气相沉积涂层的封顶技术，包括在耐高温的零部件基体1表面沉积金属粘结层2，陶瓷层3和建立陶瓷层表面的封顶层7，特征：在真空度0.8～1.1×10-2Pa条件下，采用束流密度为250～350A/cm2的强流脉冲离子束6于室温下辐照，在陶瓷层3表面形成要求厚度的连续封顶层7，从而封闭陶瓷层中作为氧扩散通道的柱状晶粒4之间的晶粒间隙5，再采用束流密度为50～100A/cm2的强流脉冲离子束焊合封顶层表面存在的微裂纹8。优点：工艺简单，采用较少次数辐照即可实现所要求厚度的连续致密封顶层；不会产生贯穿性宏观裂纹；封顶层表面光滑平整；封顶后的电子束物理气相沉积涂层抗氧化性能提高2倍以上。 |
发布日期：2007-06-26 19:51:00