| 专利名称： | 贱金属电极上的金属氧化物陶瓷薄膜 |
| 公开（告）号： | CN1961391 |
| 公开（公告）日： | 2007-05-09 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | 200580017468.0 |
| 申请日： | 2005-06-23 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 英特尔公司 |
| (申请)专利权（人）： | 闵研基;坚吉兹·A·帕兰独兹 |
| 内容： | 摘要 一种方法，包括形成电容器结构，该电容器结构包括电极材料、和电极材料上的陶瓷材料、以及在陶瓷材料的点缺陷态界定陶瓷材料是绝缘的、且不会氧化电极材料的条件下烧结陶瓷材料。一种方法，包括在导电箔片上沉积陶瓷材料、和在使点缺陷转换到对应更高电导率的陶瓷材料水平的活动性最小化的温度下，在还原气氛中烧结陶瓷材料。一种装置，包括第一电极、第二电极、和设置在第一电极和第二电极之间的陶瓷材料，其中陶瓷材料包括小于一微米的厚度、和与活动点缺陷的浓度最优化的热力学状态相对应的漏电流 |
发布日期：2007-07-10 19:22:00