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| 专利名称： | 压电陶瓷及其制造方法 |
| 公开（告）号： | CN1898182 |
| 公开（公告）日： | |
| 申请（专利）号： | 200480038272.5 |
| 申请日： | 2004-12-21 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | TDK株式会社 |
| (申请)专利权（人）： | 古川正仁;七尾胜;室泽尚吾;佐藤直义;黑田朋史 |
| 内容： | 摘要 本发明提供了使用温度范围宽、可以得到大的位移量、容易烧成、低公害并且对于环境和生态学方面良好的压电陶瓷及其制造方法。压电基板(1)含有(1-m-n)[(Na1-x-yKxLiy)(Nb1-zTaz)O3]+m [(M1)ZrO3]+n[M2(Nb1-WTaW)2O6]作为主成分。式中，M1和M2是碱土金属元素，优选的是0.1≤x≤0.9，0≤y≤0.1，0＜m＜0.1，0 ＜n≤0.01。这样，可以提高居里温度并增大产生位移量，还可以容易烧成。烧成时，在制备(M1)ZrO3之后与其它原料混合。 主权项 |
发布日期：2007-01-21 22:34:00