| 专利名称： | 半导性陶瓷元件及其制造方法 |
| 公开（告）号： | CN1929046 |
| 公开（公告）日： | 2007-03-14 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | 200510098786.6 |
| 申请日： | 2005-09-07 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 国巨股份有限公司 |
| (申请)专利权（人）： | 苏哲仪;李文熙;林世彬;胡庆利 |
| 内容： | 摘要 本发明涉及一种半导性陶瓷元件，其包括：一半导性陶瓷本体及至少一个陶瓷绝缘层，所述陶瓷绝缘层位于所述半导性陶瓷本体的顶面、底面或其内部，所述陶瓷绝缘层的材质不同于所述半导性陶瓷本体，且所述陶瓷绝缘层的电阻率大于106Ω-m。所述半导性陶瓷本体与所述陶瓷绝缘层是一起烧结而成。进而，在后续的电镀制程中，所述陶瓷绝缘层可以保护所述半导性陶瓷本体不被电镀液腐蚀。本发明还关于所述半导性陶瓷元件的制造方法。 |
发布日期：2007-05-06 17:11:00