| 专利名称： | 一种p-Zn1-xMgxO晶体薄膜及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN1303650 |
| 公开（公告）日： | 2007-03-07 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200310108467.X |
| 申请日： | 2003-11-04 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 浙江大学 |
| (申请)专利权（人）： | 叶志镇;张银珠;黄靖云 |
| 内容： | 摘要 本发明的p-Zn1-xMgxO晶体薄膜，是以B、Al、Ga、In中的一种或几种为施 主、以N、P、As气体中的一种或几种为受主共掺杂的p-Zn1-xMgxO晶体薄膜， x的摩尔含量为0＜x＜40％，掺杂浓度为1015～1019cm-3。薄膜的制备采用脉冲激光 沉积法，靶材是由高纯ZnO、MgO和施主掺杂剂粉末混合烧结的陶瓷靶，其中 MgO的摩尔含量为0＜x＜40％，施主掺杂剂的摩尔含量为0＜y＜3％，生长温度为 400～700℃，生长气氛为经等离子体活化的含受主的气体和高纯O2的混合气体， 掺杂浓度可通过调节输入的含受主气体和高纯O2的不同分压比、靶材中施主掺 杂剂的摩尔含量以及后续退火处理的温度来控制。 |
发布日期：2007-06-01 20:55:00