| 专利名称： | 一种高硬度氮化硅陶瓷的低温烧结方法 |
| 公开（告）号： | CN1304333 |
| 公开（公告）日： | 2007-03-14 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200510023369.5 |
| 申请日： | 2005-01-14 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| (申请)专利权（人）： | 彭桂花;江国健;李文兰;张宝林;庄汉锐;徐素英 |
| 内容： | 摘要 一种采用氮化硅镁(MgSiN2)作为烧结助剂低温烧结高硬度氮化硅(Si3N4) 陶瓷的方法，属于非氧化物陶瓷制备领域。本发明中高性能Si3N4陶瓷是由 α-Si3N4粉和MgSiN2按100∶10-2的比例混合，采用热压烧结技术制备的。 在制备过程中，先将原料在2MPa压力下成型，然后装入石墨模具中，在 10-30MPa、1600℃-1700℃、保温时间1-5小时热压烧结。本发明制备的Si3N4 陶瓷具备优良的综合力学性能，其中三点抗折强度σb＞800MPa、断裂韧性 KIC＞5.00MPa·m1/2左右、硬度Hv＞19GPa，最大Hv值可大于22GPa(2200Kg /mm2)。 |
发布日期：2007-06-01 21:29:00