| 专利名称： | 一种提高(Ta2O5)1-x(TiO2)x陶瓷的介电系数的方法 |
| 公开（告）号： | CN1305804 |
| 公开（公告）日： | 2007-03-21 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200510069511.X |
| 申请日： | 2005-05-13 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 北京工业大学 |
| (申请)专利权（人）： | 蒋毅坚;王 越;朱学文 |
| 内容： | 摘要 本发明属于(Ta2O5)1-x(TiO2)x体系介电陶瓷的制备领域。目前仅仅依 靠提升烧结温度或延长预烧和烧结时间以提高(Ta2O5)1-x(TiO2)x介电系数的 状况。本发明按现有陶瓷制备工艺程序，对(Ta2O5)1-x(TiO2)x材料进行配料、 混合和预反应；将预反应后的粉料压制成圆柱状坯体，再进行烧结，形成 致密的圆柱状陶瓷体；沿着垂直于柱状陶瓷体的圆平面进行切割，见图， 使其成为长方形薄片。本发明所获得的(Ta2O5)1-x(TiO2)x陶瓷样品的介电系 数比通常烧结的圆薄片状陶瓷的介电系数有显著提高，大大超出目前 (Ta2O5)1-x(TiO2)x体系介电系数最好的水平；本发明在制备工艺上仅改变了 陶瓷烧结体的形状，并进行垂直切割，即可将(Ta2O5)1-x(TiO2)x陶瓷介电系 数大大提高，改变了单纯依赖改进预烧和烧结的温度及时间的现状，操作 简便，效率高，可重复性强。 |
发布日期：2007-06-02 19:36:00