| 专利名称： | 介质陶瓷组合物、介质陶瓷和含有介质陶瓷的层压陶瓷部件 |
| 公开（告）号： | CN1307122 |
| 公开（公告）日： | 2007-03-28 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200480002832.1 |
| 申请日： | 2004-01-20 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 宇部兴产株式会社 |
| (申请)专利权（人）： | 石飞信一;福田晃一;河野孝史;射场久善 |
| 内容： | 摘要 本发明提供介质陶瓷组合物，通过与低电阻导体例如银或铜的同 时烧结，其可以在约800-1000℃的温度烧结从而使得可以内插低电阻 导体并与其多层化，并且其烧结形成介电常数εr为10以下的介质陶 瓷、和Q×f0值大且共振频率f0的温度系数τf的绝对值为20ppm/℃以 下且该值容易控制的谐振器。基于100重量份的通式：aZnAl2O4-bZn2SiO4-cTiO2-dZn2TiO4表示的主成分，所述介质陶瓷组合物含有5- 150重量份的玻璃成分，其中各成分的摩尔分数a、b、c和d满足5.0 ≤a≤80.0摩尔％，5.0≤b≤70.0摩尔％，5.0≤c≤27.5摩尔％，0≤d ≤30.0摩尔％(a+b+c+d＝100摩尔％)。 |
发布日期：2007-06-02 20:29:00